Neues XPS-Instrument PHI GENESIS verfügbar!

XPS und HAXPES kombiniert in einer Multi-Technologie-Plattform

ULVAC-PHI Incorporated (mit Hauptsitz in Chigasaki, Präfektur Kanagawa, Japan) hat das PHI GENESIS, ein automatisiertes und multifunktionales Röntgenphotoelektronenspektrometer (XPS) oder Elektronenspektroskopiegerät für die chemische Analyse (ESCA), auf den Markt gebracht.

Das PHI GENESIS XPS ist ein neues Produkt, das die PHI-Oberflächenanalysatoren mit Erweiterungsmöglichkeiten kombiniert und so eine erstaunliche Basisleistung in einem kompakten Paket bietet.

Was wird vom Markt verlangt?

Fortschrittliche Materialien wie Festkörperbatterien, moderne Halbleiter und künstliche Photosynthese sind komplexe Materialkombinationen, deren Erforschung und Entwicklung eine rasche Optimierung der Leistung der einzelnen Materialien und Materialkombinationen erfordert. Es besteht ein wachsender Bedarf an leistungsfähiger und hochfunktioneller Oberflächen- und Grenzflächenanalytik, die diese Forschung und Entwicklung erheblich beschleunigen kann.

Mit dem PHI GENESIS bieten wir Ihnen ein neues Oberflächenanalysesystem, das neben einer extrem hohen Basisleistung auch einen hohen Automatisierungsgrad mitbringt, um Ihre individuellen Anforderungen zu erfüllen.

Die beste Lösung für Sie: Das neue scannende Röntgen-Photoelektronenspektrometer (XPS) PHI GENESIS von ULVAC-PHI.

MERKMALE

Vollautomatisiertes Multi-Tech XPS / HAXPES

  • Einfache Bedienung & Multitechnologie-Optionen
  • Leistungsstarke XPS-Analyse für große und kleinste Flächen
  • Hohe Geschwindigkeit und zerstörungsfreie Tiefenprofilierung
  • Vollautomatisch mit Probenparker
  • Harte Röntgenquelle Cr Kα für HAXPES
  • Umfassende Lösung für Batterien, Halbleiter, organische Bauelemente und andere Anwendungen

Ihre Vorteile

Einfache Bedienung
Intuitive Benutzeroberfläche (UI)

PHI GENESIS bietet Ihnen eine einfache, intuitive und leicht zu bedienende Benutzeroberfläche

Multi-Technologie-Optionen
Keine Kompromisse

Mit leistungsstarken XPS-, HAXPES-, UPS-, LEIPS-, REELS-, AES- und einer Vielzahl weiterer Optionen erfüllen wir alle Ihre Anforderungen an die Oberflächenanalyse.

Großflächige Analyse mit hohem Durchsatz - Verbessertes Scanning X-Ray Imaging (SXI)

Unübertroffener 5 µm Röntgenstrahl mit kleinem Spot eröffnet neue Möglichkeiten für Mikro-XPS-Anwendungen

Hochdurchsatz-Tiefenprofilierung - Hochleistungs-Tiefenprofilierung

Probe: Mit Au-Ionen implantierter Si-Wafer mit bis zu 10 ppm Au, nachgewiesen durch Tiefenprofilierung

Zerstörungsfreie Tiefenprofilierung - Sputterfreie Tiefensondierung

Durch den Einsatz einer hochenergetischen, harten Röntgenquelle erhalten Sie Informationen aus größerer Tiefe als mit herkömmlicher weicher Röntgen-XPS.

Welche Herausforderungen möchten Sie angehen?

Anwendungsbereiche

  • Halbleiter
  • Batterien
  • Organische Geräte
  • Katalysatoren
  • Quantenpunkte
  • Nanopartikel
  • Biologische und biowissenschaftliche Materialien
  • Polymere
  • Keramiken
  • Metalle
  • und andere feste Werkstoffe und Materialien

Einfache Handhabung

PHI GENESIS bietet eine neue Benutzeroberfläche, die eine intuitive, einfache und vollautomatische Bedienung des Hochleistungsgerätes ermöglicht.

Diese Schnittstelle ermöglicht den Zugriff auf alle Funktionen, die für die Einrichtung von Routine- und fortgeschrittenen Multitechnik-Aufnahmen erforderlich sind, von einem einzigen Bildschirm aus. Funktionen wie die Navigation über das Intro-Foto und die 100% genaue Positionierung aus röntgeninduzierten Sekundärelektronenbildern (SXI) bleiben erhalten.

Multi-Technik-Optionen

PHI GENESIS ermöglicht die automatisierte Analyse derselben Oberfläche mit mehreren Techniken, die den gesamten Energiebereich abdecken - vom Leitungsband mit LEIPS bis zur Kernanregung mit HAXPES. Damit bietet PHI GENESIS einen beispiellosen Mehrwert, der in herkömmlichen XPS-Geräten nicht zu finden ist.