PHI Genesis
XPS und HAXPES kombiniert in einer automatisierten Multitechnologie-Plattform
High-Tech Produkte wie Halbleiter oder Festkörperbatterien bestehen heute aus sehr komplexen Materialkombinationen. XPS und HAXPES liefern die notwendigen Informationen, um die Eigenschaften und das Verhalten dieser Materialien zu verstehen. Weitere wichtige Aufgabenbereiche sind die Fehleranalytik und das Prüfen von Reinigungsvorgängen.
Mit der PHI Genesis hat ULVAC-PHI ihre sehr erfolgreichen XPS Systeme in eine Plattform integriert. XPS & HAXPES – Oberflächenanalytik mit zwei verschiedenen Anregungsquellen:
XPS hat eine Informationstiefe von ca. 5nm
HAXPES hat eine ca. drei-mal größere Informationstiefe von ca. 15nm
Die Schlüsseltechnologie bei allen PHI-Anlagen ist die scannende Röntgenquelle. Sie ermöglicht die XPS-Analyse mit sehr kleinen Strahldurchmessern und gleichzeitig einer hohen Zählrate. Die scannende Röntgenquelle ist auch die Technologie hinter dem sogenannten SXI-Imaging. Das SXI-Imaging erlaubt die Abbildung Ihrer Oberfläche mit dem scannenden Röntgenstrahl und damit eine Probennavigation, wie Sie sie von einem REM gewohnt sind.
Weitere Systemvorteile
- Einfache Bedienung & Multitechnik-Optionen
- Leistungsstarke XPS-Analyse für große und kleinste Flächen
- Hochgeschwindigkeits- und zerstörungsfreie Tiefenprofilierung
- Vollautomatisches System mit automatischer Abstimmung und Kalibrierung und mehreren Parkpositionen für einen hohen Durchsatz
- Harte Röntgenquelle Cr Kα für HAXPES
- Umfassende Lösung für Batterien, Halbleiter, organische Bauteile und andere Anwendungen
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